什么是吸收電容?吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器,可以吸收掉尖峰電壓。一般常用在有絕緣柵雙極型晶體管,消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓,避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。
吸收電容的技術參數(shù)
電容量: 0.0047 6.8μF
額定電壓: 700 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5℃,1Min
工作溫度: -40~+85℃ B6-6
吸收電容在變頻器中的應用
1、電容電流的主電器圖:
2、電路中電容對應EACO電容型號:
DC-LNK電容C1:SHG、SHD、SHE、SHC
DC-LNK電容C1
注:同時需了解設備的使用場合、功率、電壓等級、原電解使用容量和電壓、IGBT使用頻率。
吸收電容的技術參數(shù)
電容量: 0.0047 6.8μF
額定電壓: 700 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF
測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s,t 25±5℃,1Min
工作溫度: -40~+85℃ B6-6
吸收電容在變頻器中的應用
1、電容電流的主電器圖:
2、電路中電容對應EACO電容型號:
DC-LNK電容C1:SHG、SHD、SHE、SHC
IGBT保護電容C2、C3、C4:STM、STD、STC、STF、STS、STE
DC-LNK電容C1
電壓選擇:跟據(jù)客戶設備使用電壓來選擇,電容額定電壓不低于客戶使用電壓。
容量選擇:替代電解電容的容量為:電解電容容量的1/3~1/4。
注:同時需了解設備的使用場合、功率、電壓等級、原電解使用容量和電壓、IGBT使用頻率。
IGBT保護電容
電壓選擇:跟據(jù)客戶IGBT電壓等級來選擇,電容額定電壓一般不低于客戶使用電壓。
容量選擇:C2、C3、C4容量為:IGBT實際工作電流每100A使用容量大約1UF。在此我們推薦470UF25V貼片電解電容,具體參數(shù)和詳細介紹請在電阻電容系列產(chǎn)品里了解。
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